这些活性粒子具有极强的化学反应能力，它们会与待刻蚀的材料表面发生化学反应，从而实现材料的去除。以硅片加工为例，氟原子会与硅原子反应生成气态的四氟化硅，随后被真空系统抽出，从而在硅片表面形成所需的图案或结构。CF4等离子刻蚀的优点在于其刻蚀速率相对较快，且能够实现较高的各向异性刻蚀，即在垂直方向上的刻蚀速率远大于水平方向，这对于制造高深宽比的微观结构至关重要，例如在制造晶体管的栅极结构时，能够精确地控制其尺寸和形状。
此外，CF4等离子刻蚀还具有良好的选择性，可以在不同的材料之间实现差异化的刻蚀速率，从而保护不需要刻蚀的部分。例如，在硅片表面覆盖一层光刻胶时，CF4等离子体对光刻胶的刻蚀速率远低于对硅的刻蚀速率，这样就可以利用光刻胶作为掩膜，精确地刻蚀出所需的硅图案。
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